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LED电极成型工艺

发布者:topday   发布时间: 2013-01-16 16:25 浏览次数: :

        首先.成型电极要经过①芯片分离沟成型。②透明电极(p侧电极)成型;③电极板((n侧电极与p侧电极)成型。④保护膜成型等工序。L述工序完成了LED芯片的制作便也初步完成了(见图1. 41(a)).每道L:序的制作方法如下。

       1.芯片分离沟成型
       首先利用平版影印技术,形成覆盖LED芯片发光区城的绝缘腆,随后利用蚀刻技术去除未班膜的部分,包括上部工作层(p-GaN及发光层)和部分下部工作层(n-GaN),从而形成芯片分离沟(见图1.41(b)).
       2.透明电极((p侧电极)成型
       利用平版影印技术,在p侧电极区域形成无绝缘膜状态,随后经过蒸镀电极材料与表面处理,在上部工作层(p-GaN层)形成透明电极(见图1. 41(c)).
       3.电极板((n侧电极与p侧电极)成型
       根据平版影印技术,在n侧电极与p侧电极形成仅域形成无绝缘膜状态,随后经过燕镀电极材料与表面处理便形成电极板(见图1.41(d)).
       4.保护膜成型
       利用气相成膜法在镇个晶元仁形成保护膜,随后利用平版影印技术,在n侧电极与p侧电极区域形成无绝缘膜状态,再用蚀刻方法去除电极板上的保护膜,最后去除绝缘便形成保护膜(见图1. 41(e) ).
 
(a)电极成型
 
(b)芯片分离沟成型
 

本文链接:http://www.leddianyuan.com/jishuzixun/2013/0116/884.html

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